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碳化硅單晶爐

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碳化硅(gui)(SiC),是一種硬度僅次(ci)于金剛石(shi)的半導體。“晶體雖小,本領可(ke)(ke)不小。”碳化硅(gui)功(gong)率器件具有(you)高耐壓(ya)、低(di)損耗、高導熱率等優異性能(neng),可(ke)(ke)以有(you)效(xiao)實(shi)現電力(li)電子系統(tong)的高效(xiao)率、小型化和(he)輕(qing)量化,是新能(neng)源汽車、5G通訊、電力(li)信(xin)息化等將(jiang)來(lai)主導產(chan)業不可(ke)(ke)或(huo)缺的關鍵半導體材(cai)料原料。

“晶體雖好,但(dan)要突破海外的壟斷性很不易。”把握完善加工工藝的極少數國家一(yi)直執行(xing)嚴苛的高新科(ke)技堡壘(lei)現行(xing)政策,要想在市場競爭中制(zhi)勝(sheng),自主研(yan)發(fa)是**的取勝(sheng)法決。

現階段,已(yi)能自主研發生產(chan)制造5N碳(tan)化硅硅微粉和6英尺(chi)雙鉗鍋碳(tan)化硅單(dan)晶爐,一臺單(dan)晶爐可與此(ci)同時生長發育2個晶體(ti),填充了中國(guo)全產(chan)業鏈主要設備(bei)的(de)空缺。