【中(zhong)(zhong)頻(pin)感應(ying)熔煉爐】IGBT中(zhong)(zhong)頻(pin)電源有哪(na)些(xie)優勢所在(zai)

　　人(ren)們在(zai)制作IGBT中(zhong)頻(pin)電(dian)源時采用(yong)了(le)高(gao)新技術， 所(suo)以它是一種新型的(de)設備，具有(you)廣闊的(de)發展前(qian)途。IGBT中(zhong)頻(pin)電(dian)源在(zai)使用(yong)的(de)過程(cheng)中(zhong)耗能(neng)(neng)很低，十(shi)分的(de)節約(yue)能(neng)(neng)源，而且它在(zai)生產不銹(xiu)鋼等產品時，具有(you)較快的(de)熔化速度，生產效率很高(gao)。

　　恒功率輸出(chu)：可控(kong)硅(gui)中(zhong)(zhong)頻(pin)電源采(cai)用(yong)調(diao)(diao)壓調(diao)(diao)功，而節(jie)能型(xing)IGBT晶體管中(zhong)(zhong)頻(pin)電源采(cai)用(yong)調(diao)(diao)頻(pin)調(diao)(diao)功，它不(bu)受爐料(liao)多少(shao)和爐襯厚薄(bo)的影響，在(zai)整個熔煉(lian)過(guo)程中(zhong)(zhong)保持恒功率輸出(chu)，尤其是生產不(bu)銹鋼、銅、鋁(lv)等不(bu)導(dao)磁物質時，更(geng)顯(xian)示它的優越性，熔化速(su)度快，爐料(liao)元素燒損少(shao)，降低(di)鑄(zhu)造成(cheng)本。

　　IGBT中頻(pin)(pin)電源為一(yi)種恒功(gong)率輸出(chu)電源，加少量料即可(ke)(ke)達到滿功(gong)率輸出(chu)，并且始終保(bao)持不(bu)變(bian)，所(suo)(suo)(suo)以熔化速度快；因(yin)逆(ni)變(bian)部(bu)分(fen)(fen)采用(yong)串聯(lian)諧振，且逆(ni)變(bian)電壓高(gao)，所(suo)(suo)(suo)有(you)IGBT中頻(pin)(pin)比普通可(ke)(ke)控硅中頻(pin)(pin)節能(neng)；IGBT中頻(pin)(pin)采用(yong)調頻(pin)(pin)調功(gong)，整流部(bu)分(fen)(fen)采用(yong)全(quan)橋整流，電感(gan)和電容濾波，且一(yi)直工作在500V，所(suo)(suo)(suo)以IGBT中頻(pin)(pin)產生(sheng)高(gao)次諧波小，對電網產生(sheng)污(wu)染工低。

　　節(jie)能型IGBT晶體管中(zhong)(zhong)頻(pin)(pin)電(dian)源(yuan)比(bi)傳統(tong)可(ke)(ke)控(kong)硅并聯中(zhong)(zhong)頻(pin)(pin)電(dian)源(yuan)可(ke)(ke)節(jie)能15%-25%,節(jie)能的主要原因有(you)以下幾下方面：逆變(bian)(bian)(bian)電(dian)壓高，電(dian)流小(xiao)(xiao)，線(xian)路(lu)損耗小(xiao)(xiao)，此部分(fen)可(ke)(ke)節(jie)能15%左右，節(jie)能型IGBT晶體管中(zhong)(zhong)頻(pin)(pin)電(dian)源(yuan)逆變(bian)(bian)(bian)電(dian)壓為(wei)2800V，而傳統(tong)可(ke)(ke)控(kong)硅中(zhong)(zhong)頻(pin)(pin)電(dian)源(yuan)逆變(bian)(bian)(bian)電(dian)壓僅為(wei)750V，電(dian)流小(xiao)(xiao)了近4倍，線(xian)路(lu)損耗大(da)大(da)降(jiang)低。

　　功(gong)率(lv)因數高(gao)，功(gong)率(lv)因數始終大于0.98，無(wu)功(gong)損耗(hao)(hao)小(xiao)，此部分比可控硅(gui)(gui)中(zhong)頻電源節(jie)能3%-5%。由于節(jie)能型IGBT晶(jing)體管中(zhong)頻電源采(cai)用了(le)半可控整流方式，整流部分不調可控硅(gui)(gui)導通角，所以整個(ge)工作過程功(gong)率(lv)因數始終大于0.98，無(wu)功(gong)率(lv)損耗(hao)(hao)小(xiao)。

　　爐(lu)品熱損失(shi)小，由(you)于節能型IGBT晶體管中頻(pin)(pin)電源(yuan)比(bi)同等(deng)功率可控(kong)硅中頻(pin)(pin)電源(yuan)一爐(lu)可快15分鐘(zhong)左右，15分鐘(zhong)的(de)時(shi)間內爐(lu)口(kou)損失(shi)的(de)熱量可占整個過程(cheng)的(de)3%，所以(yi)此部分比(bi)可控(kong)硅中頻(pin)(pin)可節能3%左右。

　　高次諧波(bo)干(gan)擾(rao)：高次諧波(bo)主(zhu)要來自整(zheng)流部分調(diao)壓時可控(kong)硅產(chan)生的毛刺電(dian)(dian)壓，會嚴重污(wu)染電(dian)(dian)網(wang)，導致其他設(she)備(bei)無法正常工(gong)作，而節能(neng)型IGBT晶體管中頻(pin)電(dian)(dian)源(yuan)的整(zheng)流部分采用半可控(kong)整(zheng)流方式，直流電(dian)(dian)壓始終工(gong)作在最高，不調(diao)導通(tong)角，所以它不會產(chan)生高次諧波(bo)，不會污(wu)染電(dian)(dian)網(wang)、變壓器，開關不發熱，不會干(gan)擾(rao)工(gong)廠(chang)內其他電(dian)(dian)子設(she)備(bei)運(yun)行。